Полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN), N-канальный, с напряжением пробоя 600В и максимальным током стока 10А. Предназначен для применения в высокочастотных импульсных источниках питания и преобразователях энергии.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.