YJG55P03B | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

YJG55P03B

38,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 38,00 ₽
от 10 шт. 27,80 ₽
от 100 шт. 27,75 ₽
от 144 шт. 24,73 ₽
от 236 шт. 23,03 ₽
от 397 шт. 21,68 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 524 шт.
MOSFET канальный P-тип 55 В 30 А корпус TO-220
p551774
Изображение корпуса DFN-8 (5x6), не фото товара

Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) канальный P-тип серии YJG55P03B. Предназначен для применения в силовых схемах коммутации и усиления. Максимальное напряжение сток-исток 55 В, максимальный ток стока 30 А. Корпус TO-220 для монтажа на радиатор.

Производитель Yangjie
Тип канала P-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 55
RDS(on), мОм 20
Корпус DFN-8 (5x6)
Выходная ёмкость, пФ 310
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 62
Емкость затвор-сток Crss, пФ 280
Входная емкость Ciss, пФ 1860
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.