WMS175N10LG2 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

WMS175N10LG2

25,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 25,00 ₽
от 10 шт. 14,80 ₽
от 100 шт. 14,21 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 11785 шт.
MOSFET канальный N-тип 100 В 175 А корпус TO-247
p545533
Изображение корпуса SO-8, не фото товара

Полевой транзистор WMS175N10LG2 производства WAYON. N-канальный MOSFET с напряжением пробоя 100 В и максимальным током стока 175 А. Корпус TO-247 для поверхностного монтажа с высокой рассеиваемой мощностью.

Производитель Wayon
Корпус SO-8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.