Полевой транзистор MOSFET канальный N-тип WMB198N15HG2 производства WAYON. Предназначен для применения в силовых электронных схемах с номинальным напряжением до 150 В и максимальным током 198 А.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.