WMB080N10HG2 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

WMB080N10HG2

59,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 59,00 ₽
от 5 шт. 50,50 ₽
от 20 шт. 50,25 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 44 шт.
MOSFET канальный N, 100 В, 80 А, корпус TO-247
p547102
Изображение корпуса DFN-8 (5x6), не фото товара

Полевой транзистор WMB080N10HG2 производства WAYON с каналом N-типа. Предназначен для применения в силовых схемах коммутации и усиления. Максимальное напряжение сток-исток 100 В, максимальный ток стока 80 А. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла и удобство монтажа.

Производитель Wayon
Корпус DFN-8 (5x6)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.