Loading
Транзистор H20R1203(IHW20N120R3) 1200В, 20А TO-247
214,00 ₽
Loading
IGBT Транзистор H20R1203(IHW20N120R3)
540979
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H20R1203
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.48
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Тип корпуса: TO247
Маркировка: H20R1203
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.48
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Тип корпуса: TO247
| Бренд | |
|---|---|
| Корпус | TO-247-3 |
| Мощность, Вт | 280 |
| Напряжение Vces, В | 1200 |
| Ток коллектора Ic, А | 20 |
| Напряжение насыщения Vce(sat), В | 2.5 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Встроенный диод | Да |
| Напряжение затвор-эмиттер макс, В | 20 |
| Пороговое напряжение затвора, В | 4 |
| Заряд затвора, нКл | 180 |
| Время нарастания, нс | 80 |
| Выходная ёмкость, пФ | 300 |
| Тепловое сопротивление, °C/Вт | 0.5 |
| Входная емкость Ciss, пФ | 2500 |
| Время обратного восстановления диода, нс | 300 |
| Технология изготовления | IGBT |
| Время задержки включения td(on), нс | 100 |
| Время задержки выключения td(off), нс | 200 |
| Время спада tf, нс | 50 |
| Ток утечки коллектора ICES, мА | 10 |
| Серия технологии | H-Series |
| Импульсный ток коллектора Icm, А | 40 |
| Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда, °C/Вт | 1.5 |
| Тип канала IGBT | NPT |
Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв
Новые продукты
Конденсатор электролитический 470 мкФ 25В 105°C 8x14 мм
Конденсатор электролитический 470 мкФ 16В 105°C радиальный 8×11 мм