Транзистор GT50JR22 Toshiba 600В 50А 230Вт | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
IGBT
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. IGBT
  7. Транзистор GT50JR22 Toshiba 600В 50А 230Вт

Транзистор GT50JR22 Toshiba 600В 50А 230Вт

0 отзывы
Добавить свой отзыв
143,00 ₽
201,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 143,00 ₽
от 5 шт. 114,20 ₽
от 10 шт. 100,50 ₽
В наличии: 252 шт.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным…
548394
Транзистор GT50JR22 Toshiba 600В 50А 230Вт

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным. В результате переключение мощной нагрузки становиться возможным при малой мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.

GT50JR22 IGBT транзисторы компании Toshiba используются для индукционных печей и силовых инверторов. Рассчитаны на рабочее напряжение до 600 В. и ток до 50 А., интегрируют в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод. Оптимизированы для применения в индукционных печах и в силовых инверторах. Данные IGBT-транзисторы отличаются высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока 50 А., типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А. составляет 1.65 вольт для GT50JR22. Типовое значение времени включения / выключения при токе коллектора 50 А составляет 0.25 мкс / 0.37 мкс. GT50JR22 ориентированы на применение в устройствах с высокой частотой коммутации. Допустимая рассеиваемая мощность транзисторов составляет 230 Вт.

Производитель Toshiba
Страна-изготовитель Китай
Напряжение VDSS, В 600
Корпус TO-3P
Ток коллектора Ic, А 50
Напряжение насыщения Vce(sat), В 1.8
Макс. температура перехода, °C 175
Встроенный диод Да

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ