TIP35C — NPN биполярный транзистор мощности 100В 25А TO-247 | Магазин Электроника
Loading
Биполярные транзисторы

TIP35C — NPN биполярный транзистор мощности 100В 25А TO-247

114,00 ₽
161,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 114,00 ₽
от 5 шт. 93,80 ₽
Loading
В наличии: 19 шт.
TIP35C — это высоковольтный NPN-транзистор, обычно используемый в усилителях мощности и переключателях. Имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В, максимальный ток коллектора 25 А и максимальную рассеиваемую мощность 125 Вт. Предназначен для усилителей мощности общего назначения и…
562823

TIP35C — это высоковольтный NPN-транзистор, обычно используемый в усилителях мощности и переключателях. Имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В, максимальный ток коллектора 25 А и максимальную рассеиваемую мощность 125 Вт. Предназначен для усилителей мощности общего назначения и коммутационных устройств, где требуется высокое напряжение и ток. TIP35C имеет корпус TO-247, обеспечивающий легкий монтаж и отвод тепла.

Технические характеристики:

Структура: npn​

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100

​Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 25

​Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15​

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3​

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 125

​Корпус: to-247

​Вес, г: 7.5

Производитель JSMSEMI
Материал Кремний
Макс. температура перехода, °C 150
Полярность NPN
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В 5
Максимальный ток коллектора, А 25
Рассеиваемая мощность, Вт 125
Граничная частота, МГц 3
Максимальный импульсный ток коллектора, А 50
Максимальная рабочая температура, °C 150
Минимальная рабочая температура, °C -65
Максимальное напряжение коллектор-база, В 100
Максимальный ток базы, А 5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт 1
Обратный ток коллектора ICBO, мкА 0.01
Напряжение база-эмиттер включения VBE, В 1.5
Коэффициент усиления hFE минимальный 15
Типичный коэффициент усиления hFE 25

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.