SUD09P10-195-GE3 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SUD09P10-195-GE3

78,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 78,00 ₽
от 5 шт. 70,10 ₽
от 20 шт. 70,08 ₽
от 57 шт. 64,66 ₽
от 94 шт. 61,63 ₽
от 157 шт. 59,23 ₽
от 262 шт. 56,29 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 1682 шт.
MOSFET канальный P-канал 100В 8.8А TO-252
p521338
Изображение корпуса DPAK (TO-252), не фото товара

Полевой транзистор P-канального типа в корпусе TO-252. Напряжение сток-исток 100В, ток стока 8.8А. Сопротивление открытого канала 210мΩ при напряжении затвор-исток 4.5В. Напряжение отсечки 2.5В. Рассеиваемая мощность 32.1Вт. Емкость затвор-исток 34.8пФ, емкость сток-затвор 65пФ. Заряд затвора 17.6нКл при 4.5В. Емкость паразитная 1.055нФ. Диапазон рабочих температур от -55℃ до +150℃. Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Vishay
Тип канала P-Channel
Напряжение VDSS, В 100
Ток стока ID, А 8.8
RDS(on), мОм 210
Корпус DPAK (TO-252)
Выходная ёмкость, пФ 65
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 32.1
Общий заряд затвора Qg, нК 17.6
Емкость затвор-сток Crss, пФ 34.8
Входная емкость Ciss, пФ 1055
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.5

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.