STP60NF06 — N-канальный MOSFET 60В 60А TO-220 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

STP60NF06 — N-канальный MOSFET 60В 60А TO-220

68,00 ₽
101,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 68,00 ₽
от 5 шт. 50,40 ₽
от 20 шт. 41,60 ₽
Loading
В наличии: 163 шт.
Технические характеристики: Структура: N-канал ​Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 ​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 ​Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В​…
563067

Технические характеристики:

Структура: N-канал

​Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60

​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60

​Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В​

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110

​Корпус: to-220​ железо

Вес, г2.5

Производитель JSMSEMI
Поддерживаемые бренды
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 60
RDS(on), мОм 16
Корпус TO-220
Макс. температура перехода, °C 175
Время нарастания, нс 65
Выходная ёмкость, пФ 400
Количество каналов 1
Тип монтажа На печатную плату
Рабочая температура, °C -55°C...+175°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 110
Общий заряд затвора Qg, нК 54
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В 20
Входная емкость Ciss, пФ 1660
Ток утечки стока при VDS=max, мкА 1
Технология изготовления STripFET II
Прямая передаточная проводимость Yfs, С 50
Ток утечки затвора при VGS=±20В, нА 100
Минимальное напряжение пробоя сток-исток, В 60
Сопротивление обратного диода, Ом 1.3

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.