STD10NM60N | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

STD10NM60N

66,30 ₽
70,60 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 66,30 ₽
от 60 шт. 65,06 ₽
от 200 шт. 63,83 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 20 шт.
Loading
Доступно: 2300 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p568531

STD10NM60N, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 10А, 70Вт, корпус TO-252(DPAK)

Тип: MOSFET
Описание: N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 600
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 10
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 550
Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 25
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 4
Емкость, пФ: 550
Заряд затвора, нКл: 19
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Производитель STMicroelectronics
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 600
Ток стока ID, А 10
RDS(on), мОм 550
Корпус TO-252 (DPAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.