SIS412DN-T1-GE3 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SIS412DN-T1-GE3

40,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 40,00 ₽
от 10 шт. 30,25 ₽
от 100 шт. 30,23 ₽
от 132 шт. 27,04 ₽
от 220 шт. 25,24 ₽
от 363 шт. 23,80 ₽
от 607 шт. 22,35 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 1588 шт.
N-канальный MOSFET, 30В, 12А, 30мΩ
p547544

N-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK1212-8. Диапазон рабочих температур: -55℃~+150℃. Максимальное напряжение сток-исток: 30В. Максимальный ток стока: 12А. Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6W. Пороговое напряжение: 2.5В. Сопротивление канала при Vgs=4.5В: 30мΩ. Входная емкость: 42pF. Выходная емкость: 435pF. Заряд затвора при 10В: 6nC. Емкость обратной диагонали: 95pF. Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Vishay
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 12
RDS(on), мОм 30
Корпус PowerPAK 1212-8
Выходная ёмкость, пФ 95
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 15.6
Общий заряд затвора Qg, нК 6
Емкость затвор-сток Crss, пФ 42
Входная емкость Ciss, пФ 435
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.5

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.