SI7997DP-T1-GE3 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SI7997DP-T1-GE3

373,00 ₽
397,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 373,00 ₽
от 3 шт. 365,50 ₽
от 10 шт. 365,40 ₽
от 12 шт. 350,25 ₽
от 19 шт. 342,03 ₽
от 32 шт. 335,42 ₽
от 53 шт. 322,96 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 102 шт.
MOSFET канальный P-канал 30В 60А PowerPAK-SO-8
p521333

Двухканальный P-канальный MOSFET серии SI7997DP-T1-GE3. Напряжение: 30В. Ток: 60А. Сопротивление открытого канала: 5,5мΩ при 10В. Емкость затвора: 560пФ. Емкость сток-исток: 615пФ. Емкость сток-затвор: 6,2нФ. Пороговое напряжение: 2,2В. Заряд затвора: 106нКл при 10В. Рассеиваемая мощность: 45Вт. Диапазон рабочих температур: -55℃~+150℃. Корпус PowerPAK-SO-8. Соответствует RoHS.

Производитель Vishay
Тип канала P-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 60
RDS(on), мОм 5.5
Корпус PowerPAK SO-8
Выходная ёмкость, пФ 615
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 45
Общий заряд затвора Qg, нК 106
Емкость затвор-сток Crss, пФ 560
Входная емкость Ciss, пФ 6200
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.2

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.