SI2319CDS-T1-GE3-VB | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SI2319CDS-T1-GE3-VB

20,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 20,00 ₽
от 10 шт. 9,80 ₽
от 100 шт. 9,15 ₽
от 425 шт. 7,75 ₽
от 725 шт. 6,96 ₽
от 1200 шт. 6,34 ₽
от 2025 шт. 5,80 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 3348 шт.
MOSFET канальный P-канал 30В 5.6А SOT-23
p541863

Полевой транзистор P-канальный, напряжение сток-исток 30В, ток стока 5.6А, сопротивление открытого канала 46мΩ@10В/49мΩ@6В/54мΩ@4.5В, емкость затвор-исток 1.295нФ, емкость затвор-сток 130пФ, емкость сток-исток 150пФ, заряд затвора 11.4нКл@4.5В и 24нКл@10В, напряжение порога 500мВ, рассеиваемая мощность 2.5Вт, диапазон рабочих температур -55℃~+150℃. Корпус SOT-23(TO-236). Соответствует RoHS.

Производитель VBsemi
Тип канала P-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 5.6
RDS(on), мОм 54
Корпус SOT-23(TO-236)
Выходная ёмкость, пФ 150
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2.5
Емкость затвор-сток Crss, пФ 130
Входная емкость Ciss, пФ 1295
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 0.5

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.