SI2309CDS-T1-GE3 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SI2309CDS-T1-GE3

21,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 21,00 ₽
от 10 шт. 10,10 ₽
от 100 шт. 9,52 ₽
от 425 шт. 8,07 ₽
от 700 шт. 7,26 ₽
от 1150 шт. 6,62 ₽
от 1925 шт. 6,06 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 13413 шт.
MOSFET канальный P-канал 20 В 4,2 А SO-8
p550496
Изображение корпуса SOT-23, не фото товара

SI2309CDS-T1-GE3 — полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) P-канального типа. Предназначен для применения в схемах коммутации и усиления сигналов. Максимальное напряжение сток-исток: 20 В. Максимальный ток стока: 4,2 А. Корпус SO-8.

Производитель TECH Public
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 1.6
RDS(on), мОм 240
Корпус SOT-23
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1.5
Емкость затвор-сток Crss, пФ 17.9
Входная емкость Ciss, пФ 444.2
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.6

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.