SI2308BDS-T1-GE3-VB | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

SI2308BDS-T1-GE3-VB

39,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 39,00 ₽
от 10 шт. 29,20 ₽
от 100 шт. 29,14 ₽
от 136 шт. 26,03 ₽
от 227 шт. 24,27 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 338 шт.
MOSFET канальный N-тип, корпус SOT-23
p541626

Полевой транзистор SI2308BDS-T1-GE3-VB производства VBSEMI. N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23.

Производитель VBsemi
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 3.1
RDS(on), мОм 75
Корпус SOT-23(TO-236)
Выходная ёмкость, пФ 22
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1.09
Емкость затвор-сток Crss, пФ 13
Входная емкость Ciss, пФ 180
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 1

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.