SGT50T65FD1PN — IGBT транзистор 650В 50А с встроенным диодом | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
IGBT
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. IGBT
  7. SGT50T65FD1PN — IGBT транзистор 650В 50А с встроенным диодом

SGT50T65FD1PN — IGBT транзистор 650В 50А с встроенным диодом

0 отзывы
Добавить свой отзыв
153,00 ₽
216,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 153,00 ₽
от 5 шт. 119,70 ₽
от 20 шт. 100,80 ₽
В наличии: 75 шт.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) SGT50T65FD1PN от производителя SILAN — это современный мощный ключевой прибор, предназначенный для работы в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и другом силовом электронном оборудовании. Модель…
563729
SGT50T65FD1PN — IGBT транзистор 650В 50А с встроенным диодом

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) SGT50T65FD1PN от производителя SILAN — это современный мощный ключевой прибор, предназначенный для работы в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и другом силовом электронном оборудовании. Модель сочетает высокую скорость переключения и низкое напряжение насыщения, что обеспечивает высокий КПД и надежность ваших устройств.

📊 Основные технические характеристики:• Производитель: SILAN (Hangzhou Silan Microelectronics).
• Модель: SGT50T65FD1PN (также может маркироваться как SIL50T65FD1PN).
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 650 В.
• Ток коллектора (Ic) при 100°C: 50 А.
• Напряжение насыщения Vce(sat): 1.8 В (тип.) @ Ic = 25 А.
• Корпус: TO-247.
• Температура хранения и работы: от -55 °C до +150 °C.
• Встроенный быстрый обратный диод.

💡 Области применения:• Импульсные источники питания (SMPS).
• Силовые инверторы и частотные преобразователи.
• Системы управления электродвигателями (приводы, ЧПУ).
• Сварочное оборудование.
• Индукционные нагреватели.
• Системы плавного пуска.

Производитель Silan Microelectronics
Страна-изготовитель Китай
Напряжение VDSS, В 650
Корпус TO-3P
Мощность, Вт 235
Напряжение Vces, В 650
Ток коллектора Ic, А 50
Напряжение насыщения Vce(sat), В 2.2
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 20
Пороговое напряжение затвора, В 6.5
Импульсный ток, А 150
Заряд затвора, нКл 145
Время нарастания, нс 145
Выходная ёмкость, пФ 90
Тепловое сопротивление, °C/Вт 0.53
Входная емкость Ciss, пФ 1850
Время обратного восстановления диода, нс 380
Технология изготовления Field Stop
Время задержки включения td(on), нс 25
Время задержки выключения td(off), нс 180
Время спада tf, нс 150
Обратная ёмкость, пФ 65
Прямое напряжение диода, В 2.1

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ