SGT40N60FD2PN, транзистор 600В, 40А | Магазин Электроника
Loading
IGBT

SGT40N60FD2PN, транзистор 600В, 40А

134,00 ₽
189,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 134,00 ₽
от 4 шт. 111,25 ₽
от 8 шт. 94,25 ₽
Loading
В наличии: 2017 шт.
IGBT транзистор, представляющий собой сочетание полевого и биполярного транзисторов, объединяет их лучшие качества. Его принцип работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным транзистором. Это позволяет эффективно переключать мощные нагрузки при низком потреблении…
563203

IGBT транзистор, представляющий собой сочетание полевого и биполярного транзисторов, объединяет их лучшие качества. Его принцип работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным транзистором. Это позволяет эффективно переключать мощные нагрузки при низком потреблении энергии, так как сигнал управления подается на затвор полевого транзистора.

Технические характеристики:

Максимальное напряжение VCES: 600 В

Максимальный ток коллектора IC: 40 А при Тс=100°C (80 А при Тс=25°C)

Максимальная мощность: 116 Вт при Тс=100°C (290 Вт при Тс=25°C)

Максимальная температура: 150°C

Тип корпуса: TO-3P

Производитель Silan Microelectronics
Страна-изготовитель Китай
Корпус TO-3P
Мощность, Вт 380
Напряжение Vces, В 600
Ток коллектора Ic, А 40
Напряжение насыщения Vce(sat), В 1.8
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 20
Пороговое напряжение затвора, В 5
Импульсный ток, А 120
Заряд затвора, нКл 100
Время нарастания, нс 88
Выходная ёмкость, пФ 190

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.