RJP63K2DPE ( TO-263 ) | Магазин Электроника
Loading
IGBT

RJP63K2DPE ( TO-263 )

185,00 ₽
257,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 185,00 ₽
от 3 шт. 154,17 ₽
от 5 шт. 135,00 ₽
Loading
В наличии: 12 шт.
IGBT Silicon N Channel 630V 35A VCE(sat) = 1.9 V 25W t=150C Наименование: RJP63K2DPE Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 630 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35 Напряжение насыщения…
536238

IGBT Silicon N Channel 630V 35A VCE(sat) = 1.9 V 25W t=150C

Наименование: RJP63K2DPE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 630

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Время нарастания типовое (tr), nS: 200

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.