RJP30H2A — N-канальный IGBT 360В 35А TO-263 | Магазин Электроника
Loading
IGBT

RJP30H2A — N-канальный IGBT 360В 35А TO-263

322,00 ₽
436,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 322,00 ₽
от 5 шт. 253,70 ₽
Loading
В наличии: 5 шт.
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
536239

Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А

Производитель Renesas
Страна-изготовитель Япония
Корпус D2PAK (TO-263)
Мощность, Вт 60
Напряжение Vces, В 360
Ток коллектора Ic, А 35
Напряжение насыщения Vce(sat), В 1.4
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 30
Заряд затвора, нКл 37
Время нарастания, нс 180
Выходная ёмкость, пФ 60
Технология изготовления Trench Gate
Время спада tf, нс 100
Ток утечки коллектора ICES, мА 1
Серия технологии G6H-II

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.