MJD45H11T4G | Магазин Электроника
Loading
Биполярные транзисторы

MJD45H11T4G

22,24 ₽
23,68 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 22,24 ₽
от 150 шт. 21,82 ₽
от 500 шт. 21,41 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 50 шт.
Loading
Доступно: 800 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы биполярные
p571787

MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G

Описание: Транзистор биполярный PNP; В; -8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK)
Тип проводимости: PNP
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -1
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А: -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 50
Коэффициент усиления hFE мин.: 40
Граничная частота ft, МГц: 40
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 39*39*39/2500
Вес брутто: 0.47
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Производитель JSMSEMI
Корпус TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая мощность, Вт 50
Структура PNP
Ток коллектора, А 8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.