MJD44H11T4G | Магазин Электроника
Loading
Биполярные транзисторы

MJD44H11T4G

18,23 ₽
19,41 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 18,23 ₽
от 300 шт. 17,89 ₽
от 1000 шт. 17,55 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 100 шт.
Loading
Доступно: 2500 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы биполярные
p571785

MJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD45H11T4G

Описание: Транзистор биполярный NPN; В; 8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK)
Тип проводимости: NPN
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 1
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А: 8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 50
Коэффициент усиления hFE мин.: 40
Граничная частота ft, МГц: 50
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 62*27.5*28/2500
Вес брутто: 0.57
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Производитель JSMSEMI
Корпус TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая мощность, Вт 50
Структура NPN
Ток коллектора, А 8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.