MJD127T4G | Магазин Электроника
Loading
Биполярные транзисторы

MJD127T4G

10,58 ₽
11,26 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 10,58 ₽
от 150 шт. 10,38 ₽
от 500 шт. 10,18 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 50 шт.
Loading
Доступно: 8700 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы биполярные
p571079

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK)
Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимости: PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: -4
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А: -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 20
Коэффициент усиления hFE мин.: 1000
Коэффициент усиления hFE макс.: 20000
Граничная частота ft, МГц: 4
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 41*41*39/10000
Вес брутто: 0.53
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Производитель JSMSEMI
Корпус TO-252 (DPAK)
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Рассеиваемая мощность, Вт 20
Структура PNP
Ток коллектора, А 8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.