Силовой IGBT транзистор MG75HF12TFC1 предназначен для применения в высоковольтных силовых схемах. Транзистор рассчитан на номинальный ток коллектора 75 А при напряжении коллектор-эмиттер 1200 В. Корпус: модуль с фланцем для монтажа на радиатор.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.