Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) MG600HF12TLE3 предназначен для применения в высокомощных силовых преобразователях. Номинальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В при максимальном токе коллектора 600 А. Корпус: модуль.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.