Силовой модуль на основе IGBT MG150ZD12TLC1 предназначен для применения в высоковольтных силовых преобразователях. Модуль содержит IGBT транзистор с встроенным диодом обратного восстановления, рассчитан на номинальный ток 150 А при напряжении 1200 В.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.