MDD2N65D | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

MDD2N65D

29,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 29,00 ₽
от 10 шт. 18,40 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 30 шт.
MOSFET N-канальный 650В 2А TO-252
p553863
Изображение корпуса DPAK (TO-252), не фото товара

Полевой транзистор N-канальный, корпус TO-252. Напряжение пробоя 650В, максимальный ток стока 2А, рассеиваемая мощность 35Вт. Сопротивление открытого канала 5.2Ω при напряжении затвора 10В. Пороговое напряжение 4В. Заряд затвора 10.2нКл, емкость затвор-исток 3.4пФ, емкость затвор-сток 338пФ. Диапазон рабочих температур −55℃~+150℃. Соответствует RoHS.

Производитель MDD
Напряжение VDSS, В 650
Ток стока ID, А 2
RDS(on), мОм 5200
Корпус DPAK (TO-252)
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 35
Общий заряд затвора Qg, нК 10.2
Емкость затвор-сток Crss, пФ 3.4
Входная емкость Ciss, пФ 338
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 4

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.