Микросхема энергонезависимой памяти EEPROM объёмом 8Кбит с интерфейсом I2C. Напряжение питания 2.5 В–5.5 В. Диапазон рабочих температур −40 °C–+85 °C. Частота шины 400 кГц. Время записи 5 мс. Гарантированный срок хранения данных 200 лет. Ресурс памяти 4 000 000 циклов записи/стирания. Корпус SO-8. Соответствует требованиям RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.