Микросхема энергонезависимой памяти EEPROM объёмом 2 Кбит с интерфейсом I2C. Напряжение питания 2,5 В~5,5 В, диапазон рабочих температур -40 °C~+85 °C. Частота работы 400 кГц, время записи 5 мс. Ресурс памяти 4 000 000 циклов записи-стирания, гарантированный срок хранения данных 200 лет. Корпус SO-8. Функции: аппаратная защита от записи, подавление помех, встроенный сброс при включении питания (POR). Соответствует стандарту RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.