КТ819Г — биполярный NPN транзистор 100В 10А 60Вт | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
Биполярные транзисторы
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. Биполярные транзисторы
  7. КТ819Г — биполярный NPN транзистор 100В 10А 60Вт

КТ819Г — биполярный NPN транзистор 100В 10А 60Вт

0 отзывы
Добавить свой отзыв
113,00 ₽
151,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 113,00 ₽
от 5 шт. 100,00 ₽
от 20 шт. 83,70 ₽
В наличии: 82 шт.
Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с…
382360
КТ819Г — биполярный NPN транзистор 100В 10А 60Вт

Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.

Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).

Масса транзистора не более 2,5 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК».

Технические условия: - приемка «1» аА0.336.189ТУ.Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.

Импортный аналог: 2N5496, 2N6101, 2N6131, 2N6292, 2N6293, BD203, BD537, BD709, BD711, BD953, BD954, BDX73, BDX77, TIP41C.

Основные технические характеристики транзистора КТ819Г:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Материал
Корпус TO-220
Полярность NPN
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В 5
Максимальный ток коллектора, А 10
Максимальная рассеиваемая мощность с радиатором, Вт 60
Рассеиваемая мощность, Вт 1.5
Граничная частота, МГц 3
Максимальный импульсный ток коллектора, А 15
Структура NPN

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ