КТ817Г — NPN транзистор 100В 3А 25Вт | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
Биполярные транзисторы
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. Биполярные транзисторы
  7. КТ817Г — NPN транзистор 100В 3А 25Вт

КТ817Г — NPN транзистор 100В 3А 25Вт

0 отзывы
Добавить свой отзыв
47,00 ₽
72,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 47,00 ₽
от 5 шт. 32,50 ₽
от 20 шт. 26,75 ₽
В наличии: 202 шт.
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего…
335873
КТ817Г — NPN транзистор 100В 3А 25Вт

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).

Масса транзистора не более 1,0 г.

Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.

Категория качества: «ОТК».

Технические условия: - приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.

Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.

Импортный аналог: 2N5192, 2N6123, 2SC1826, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, BD179, BD239B, BD441, BD237.

Основные технические характеристики транзистора КТ817Г:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (100В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Полярность NPN
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В 5
Максимальный ток коллектора, А 3
Максимальная рассеиваемая мощность с радиатором, Вт 25
Граничная частота, МГц 3
Максимальный импульсный ток коллектора, А 40
Структура NPN
Максимальная рабочая температура, °C 150
Минимальная рабочая температура, °C -60
Максимальное напряжение коллектор-база, В 80
Емкость коллектора, пФ 60
Максимальный ток базы, А 1
Масса транзистора, г 0.7
Типичный коэффициент усиления hFE 25

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ