КТ815Г — NPN биполярный транзистор 100В 1.5А 10Вт | Магазин Электроника
Loading
Биполярные транзисторы

КТ815Г — NPN биполярный транзистор 100В 1.5А 10Вт

50,00 ₽
74,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 50,00 ₽
от 5 шт. 37,70 ₽
от 10 шт. 32,60 ₽
Loading
В наличии: 134 шт.
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего…
404766

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.

Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).

Масса транзистора не более 1,0 г.

Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.

Категория качества: «ОТК».

Технические условия: - приемка «1» аА0.336.185ТУ/02.

Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.

Импортный аналог: MJE722, TIP29C, TIP61C, BDC01D.

Основные технические характеристики транзистора КТ815Г:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Материал Кремний
Полярность NPN
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В 5
Максимальный ток коллектора, А 1
Максимальная рассеиваемая мощность с радиатором, Вт 10
Граничная частота, МГц 3
Максимальный импульсный ток коллектора, А 3
Структура NPN
Максимальная рабочая температура, °C 125
Минимальная рабочая температура, °C -60
Максимальное напряжение коллектор-база, В 100
Емкость коллектора, пФ 60
Масса транзистора, г 1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 0.6
Ёмкость эмиттерного перехода, пФ 75
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт 10
Обратный ток коллектора ICBO, мкА 0.05
Типичный коэффициент усиления hFE 30

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.