IRLR120NTRPBF | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRLR120NTRPBF

26,02 ₽
27,72 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 26,02 ₽
от 150 шт. 25,54 ₽
от 500 шт. 25,05 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 50 шт.
Loading
Доступно: 1700 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p569490

IRLR120NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 10А, 39Вт, корпус TO-252-3

Тип: MOSFET
Описание: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 100
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 10
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 185
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 1,8
Емкость, пФ: 440
Заряд затвора, нКл: 20
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 0.63
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 64*40*52/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2000 шт.

Производитель Infineon
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 100
Ток стока ID, А 10
RDS(on), мОм 185
Корпус TO-252 (DPAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.