IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Тип: IGBT
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В: 650
Максимальный ток коллектора (Ic), А: 100
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 1,65
Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В: 5,3
Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж: 2,6
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Корпус: TO-247
Способ монтажа: сквозной (THT)
Вес брутто: 8.98
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.