MOSFET канальный p-канальный HEXFET 5-го поколения, низкое сопротивление открытого канала
488664
Изображение корпуса DPAK (TO-252), не фото товара
Силовой MOSFET пятого поколения HEXFET от International Rectifier, использующий передовые технологии производства для достижения экстремально низкого сопротивления открытого канала на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью коммутации и усиленной конструкцией устройства, характерными для силовых MOSFET HEXFET, обеспечивает разработчику высокоэффективный и надежный компонент для применения в широком спектре приложений.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.