MOSFET пятого поколения HEXFET от International Rectifier с использованием передовых технологий производства для достижения экстремально низкого сопротивления открытого канала на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью коммутации и усиленной конструкцией устройства, характерной для силовых MOSFET HEXFET, обеспечивает разработчику высокоэффективный и надежный прибор для применения в широком спектре приложений. Корпус D-PAK предназначен для поверхностного монтажа с использованием паяльных технологий парофазной пайки, инфракрасной пайки или волновой пайки. Рассеивание мощности до 1,5 Вт возможно в типичных приложениях с поверхностным монтажом.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.