IRFBG30PBF | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRFBG30PBF

86,00 ₽
91,56 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 86,00 ₽
от 75 шт. 84,39 ₽
от 250 шт. 82,79 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 25 шт.
Loading
Доступно: 1000 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p569191

IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3

Тип: MOSFET
Описание: MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 1000
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 5
Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 4
Емкость, пФ: 980
Заряд затвора, нКл: 80
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.82
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/1000
Тип монтажа: сквозной (THT)
Корпус: TO-220AB
Упаковка: TUBE, 1000 шт.

Производитель Vishay
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 1000
Ток стока ID, А 3.1
RDS(on), мОм 5
Корпус TO-220

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.