IRFB4227PBF | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
Полевые транзисторы (FET)
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. Полевые транзисторы (FET)
  7. IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

0 отзывы
Добавить свой отзыв
103,00 ₽
143,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 103,00 ₽
от 5 шт. 85,30 ₽
В наличии: 7 шт.
IRFB4227PBF — мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon Technologies, выполненный по передовой HEXFET®-технологии. Обеспечивает сверхнизкое сопротивление канала и высокую эффективность в ключевых режимах работы. Предназначен для высокопроизводительных силовых схем, где критичны…
480211
IRFB4227PBF

IRFB4227PBF — мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon Technologies, выполненный по передовой HEXFET®-технологии. Обеспечивает сверхнизкое сопротивление канала и высокую эффективность в ключевых режимах работы. Предназначен для высокопроизводительных силовых схем, где критичны надёжность, быстродействие и минимальные потери.

Основные параметры: максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 200 В, максимальный постоянный ток стока (ID) — 65 А, сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) — всего 0,0197 Ом (19,7 мОм) при напряжении затвор-исток 10 В, максимальная рассеиваемая мощность — 330 Вт, максимальная температура перехода — +175 °C. Транзистор выполнен в стандартном трёхвыводном корпусе TO-220AB для сквозного монтажа (THT), входная ёмкость (Ciss) составляет 4600 пФ, время переключения — очень короткое, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах.

Для чего подходит: импульсные блоки питания (SMPS), коррекция коэффициента мощности (PFC), системы управления двигателями и электроприводами, аудиоусилители класса D (300–500 Вт), инверторы и преобразователи напряжения, энергосберегающие цепи в плазменных панелях PDP.

Ключевые преимущества: сверхнизкое сопротивление канала обеспечивает минимальные потери и нагрев, высокая максимальная температура перехода (+175 °C) гарантирует термостабильность и надёжность, очень короткое время переключения позволяет применять транзистор в высокочастотных схемах, высокая робастность — способность выдерживать повторяющиеся пиковые токовые нагрузки и лавинные пробои, корпус соответствует стандарту RoHS (не содержит свинца).

Важно: для достижения заявленных параметров, особенно максимального тока, необходимо обеспечить эффективный теплоотвод через радиатор.

Производитель Infineon
Тип канала 1 N-channel
Напряжение VDSS, В 200
Ток стока ID, А 65
RDS(on), мОм 24
Корпус TO-220

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ