IRF640SPBF | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRF640SPBF

245,00 ₽
260,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 245,00 ₽
от 3 шт. 239,83 ₽
от 10 шт. 239,60 ₽
от 17 шт. 228,03 ₽
от 28 шт. 221,68 ₽
от 48 шт. 216,60 ₽
от 80 шт. 208,08 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 642 шт.
MOSFET N-канальный, 200В, 18А, 130Вт
p525824
Изображение корпуса D2PAK (TO-263), не фото товара

N-канальный MOSFET в корпусе D2PAK(TO-263). Напряжение сток-исток 200В, ток стока 18А, рассеиваемая мощность 130Вт. Сопротивление открытого канала 180мΩ при напряжении затвор-исток 10В. Емкость затвор-исток 1,3нФ, емкость сток-затвор 130пФ, емкость сток-исток 430пФ. Напряжение затвора 4В, заряд затвора 70нКл при 10В. Диапазон рабочих температур от -55℃ до +150℃. Соответствует стандартам RoHS.

Производитель Vishay
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 200
Ток стока ID, А 18
RDS(on), мОм 180
Корпус D2PAK (TO-263)
Выходная ёмкость, пФ 430
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 130
Общий заряд затвора Qg, нК 70
Емкость затвор-сток Crss, пФ 130
Входная емкость Ciss, пФ 1300
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 4

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.