IRF640NPBF | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRF640NPBF

21,73 ₽
23,13 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 21,73 ₽
от 300 шт. 21,32 ₽
от 1000 шт. 20,92 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 100 шт.
Loading
Доступно: 1300 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p566026

IRF640NPBF, транзистор полевой N-канальный кремниевый 200В 18А 130Вт Infineon Technologies

Тип: MOSFET
Описание: 200V, 18A N-Channel MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 200
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 18
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 150
Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 2
Емкость, пФ: 1160
Заряд затвора, нКл: 67
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 3.07
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*37/3000
Тип монтажа: сквозной (THT)
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Производитель Infineon
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 200
Ток стока ID, А 18
RDS(on), мОм 150
Корпус TO-220

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.