IRF640N (JSMSEMI) | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRF640N (JSMSEMI)

26,60 ₽
28,35 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 26,60 ₽
от 60 шт. 26,11 ₽
от 200 шт. 25,61 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 20 шт.
Loading
Доступно: 600 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p571087

IRF640N N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 18 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.15 Ом (при Vgs =10 В, Id = 9 А). Входная ёмкость 1200 пФ. Заряд затвора 38 нКл

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 200
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 18
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 150
Емкость, пФ: 1200
Заряд затвора, нКл: 38
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 2.98
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*33*18/2000
Тип монтажа: сквозной (THT)
Корпус: TO-220
Упаковка: TUBE, 50 шт.

Производитель JSMSEMI
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 200
Ток стока ID, А 18
RDS(on), мОм 150
Корпус TO-220

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.