IRF5801TRPBF | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IRF5801TRPBF

31,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 31,00 ₽
от 10 шт. 20,15 ₽
от 100 шт. 19,54 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 18443 шт.
MOSFET N-канальный, 200В, 600мА, TSOP-6
p528152
Изображение корпуса TSOP-6, не фото товара

N-канальный MOSFET IRF5801 в корпусе TSOP-6. Напряжение сток-исток 200В, ток стока 600мА, сопротивление открытого канала 2.2Ω при напряжении затвор-исток 10В. Напряжение затвора 3В. Диапазон рабочих температур от -55℃ до +150℃. Заряд затвора 3.9nC при 10В, емкость затвор-исток 6.3pF, рассеиваемая мощность 2W. Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Infineon
Тип канала 1 N-channel
Напряжение VDSS, В 200
Ток стока ID, А 0.6
RDS(on), мОм 2200
Корпус TSOP-6
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2
Общий заряд затвора Qg, нК 3.9
Емкость затвор-сток Crss, пФ 6.3
Входная емкость Ciss, пФ 88
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 3

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.