IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
Полевые транзисторы (FET)
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. Полевые транзисторы (FET)
  7. IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon

IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon

0 отзывы
Добавить свой отзыв
44,00 ₽
69,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 44,00 ₽
от 5 шт. 27,90 ₽
от 10 шт. 24,10 ₽
В наличии: 34 шт.
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А. Технические характеристики: Структура: n-канал ​Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 ​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.…
334587
IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А.

Технические характеристики:

Структура: n-канал

​Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100

​Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33​

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В​

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120

​Крутизна характеристики, S: 21

​Корпус: TO-220AB​

Пороговое напряжение на затворе: 2…4

Максимальная Рабочая Температура: 175 C

Количество Выводов: 3 вывод(-ов)

Рассеиваемая Мощность: 130Вт

Напряжение Истока-стока Vds: 100В

Непрерывный Ток Стока: 33А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.044Ом

Напряжение Измерения Rds(on): 10В

Пороговое Напряжение Vgs: 4В

Вес, г: 2.5

Производитель Infineon
Страна-изготовитель Германия
Выходная мощность, Вт 40
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 100
Ток стока ID, А 33
RDS(on), мОм 44
Корпус TO-220
Макс. температура перехода, °C 175
Выходная ёмкость, пФ 250
Количество каналов 1
Тип монтажа
Рабочая температура, °C -55°C ~ +175°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 130
Общий заряд затвора Qg, нК 71
Емкость затвор-сток Crss, пФ 40
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В 20
Входная емкость Ciss, пФ 1960
Заряд затвор-сток Qgd, нК 21
Напряжение затвор-сток VGSth(min), В 2
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 4
Технология изготовления HEXFET
Время задержки включения td(on), нс 11

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ