IPD35N10S3L26ATMA1 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IPD35N10S3L26ATMA1

60,85 ₽
64,80 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 60,85 ₽
от 60 шт. 59,71 ₽
от 200 шт. 58,57 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 20 шт.
Loading
Доступно: 1920 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p571433

IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)

Тип: MOSFET
Описание: N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 100
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 35
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 24
Емкость, пФ: 2700
Заряд затвора, нКл: 39
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 0.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 39*37*39/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Производитель Infineon
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 100
Ток стока ID, А 35
RDS(on), мОм 24
Корпус TO-252 (DPAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.