IPB107N20N3GATMA1 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

IPB107N20N3GATMA1

355,00 ₽
377,50 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 355,00 ₽
от 6 шт. 348,08 ₽
от 20 шт. 341,40 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 2 шт.
Loading
Доступно: 546 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p566014

IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус TO-263 (D2PAK)

Тип: MOSFET
Описание: 200V, 88A N-Channel MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 200
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 9,6
Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 3
Емкость, пФ: 88
Заряд затвора, нКл: 65
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Вес брутто: 2.08
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Упаковка: REEL, 1000 шт.

Производитель Infineon
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 200
RDS(on), мОм 9.6
Корпус TO-263 (D2PAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.