IGBT транзистор для применения в диапазоне температур от -40℃ до +175℃. Напряжение коллектор-эмиттер 1.35кВ, максимальный ток коллектора 90А, рассеиваемая мощность 330Вт. Напряжение затвор-эмиттер 5.1В при токе 0.75мА. Входная емкость 40pF, выходная емкость 50pF, энергия переключения 1.4мJ, время задержки выключения 310ns, заряд затвора 235nC при 15В. Корпус TO-247-3. Соответствует требованиям RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.