HXY80N03D | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

HXY80N03D

7,25 ₽
7,72 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 7,25 ₽
от 300 шт. 7,11 ₽
от 1000 шт. 6,98 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 100 шт.
Loading
Доступно: 5700 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p570917

HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 30
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 80
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 6,8
Емкость, пФ: 1160
Заряд затвора, нКл: 11,1
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 44*44*22/7500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Производитель HXY
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 80
RDS(on), мОм 6.8
Корпус TO-252 (DPAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.