HXY5N50D | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

HXY5N50D

11,28 ₽
12,02 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 11,28 ₽
от 150 шт. 11,07 ₽
от 500 шт. 10,86 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 50 шт.
Loading
Доступно: 1850 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p570178

HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 500
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 5
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 1800
Емкость, пФ: 415
Заряд затвора, нКл: 13
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.58
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.

Производитель HXY
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 500
Ток стока ID, А 5
RDS(on), мОм 1800
Корпус TO-252 (DPAK)

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.