HPA600R380PC-G — это современный кремниевый карбидный MOSFET-транзистор от производителя CR Microelectronics, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразователей. Благодаря использованию передовой технологии SiC, транзистор обеспечивает рекордно низкие динамические потери, высокую…
563725
HPA600R380PC-G — это современный кремниевый карбидный MOSFET-транзистор от производителя CR Microelectronics, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразователей. Благодаря использованию передовой технологии SiC, транзистор обеспечивает рекордно низкие динамические потери, высокую частоту переключения и выдающуюся термостабильность. Идеальное решение для новейших разработок в области силовой электроники.
Основные технические характеристики:
• Производитель: CR Microelectronics
• Модель: HPA600R380PC-G
• Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 38 мОм (макс. при Vgs = 15 В, Tj = 25°C)
• Ток стока (Id): 22 А (при Tc = 100°C)
• Корпус: TO-220F (полностью изолированный)
• Диапазон температур перехода (Tj): от -55 °C до +175 °C
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.