G50T65D — IGBT транзистор Trench-Stop 650В 50А TO-3PN | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
IGBT
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. IGBT
  7. G50T65D — IGBT транзистор Trench-Stop 650В 50А TO-3PN

G50T65D — IGBT транзистор Trench-Stop 650В 50А TO-3PN

0 отзывы
Добавить свой отзыв
142,00 ₽
198,00 ₽
В наличии: 1 шт.
Технические характеристики: Производитель: WXDH Максимальное напряжение кэ ,В: 650 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 50 Тип корпуса: TO-3P Вес: 7 гр.
562558
G50T65D — IGBT транзистор Trench-Stop 650В 50А TO-3PN

Технические характеристики:

Производитель: WXDH

Максимальное напряжение кэ ,В: 650

Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 50

Тип корпуса: TO-3P

Вес: 7 гр.

Производитель Jiangsu Donghai
Страна-изготовитель Китай
Корпус TO-3P
Мощность, Вт 280
Напряжение Vces, В 650
Ток коллектора Ic, А 50
Напряжение насыщения Vce(sat), В 2
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Тепловое сопротивление, °C/Вт 0.47
Технология изготовления Trench Field-Stop
Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда, °C/Вт 39.2
Тепловое сопротивление встроенного диода, °C/Вт 1.2

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ